对比图
型号 STD15N65M5 TK12P60W STD12N65M5
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsDPAK N-CH 600V 11.5ASTMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3
引脚数 3 - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 11A 11.5A -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 340 mΩ - 0.39 Ω
耗散功率 85 W - 70 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源击穿电压 650 V - 650 V
上升时间 8 ns - 17.6 ns
输入电容(Ciss) 816pF @100V(Vds) - 900pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 85 W - 70 W
下降时间 11 ns - 23.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 85W (Tc) - 70W (Tc)
针脚数 - - 3
封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3
长度 6.6 mm - 6.6 mm
宽度 6.2 mm - 6.2 mm
高度 2.4 mm - 2.4 mm
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -