对比图
型号 MUN5211DW1T1G MUN5211T1G PUMH11,115
描述 ON SEMICONDUCTOR MUN5211DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363ON SEMICONDUCTOR MUN5211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323NXP PUMH11,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 3 6
封装 SC-70-6 SOT-323-3 SOT-363-6
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -
额定电流 100 mA 100 mA -
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
极性 N-Channel, NPN NPN NPN
耗散功率 0.385 W 202 mW 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 202 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 385 mW 310 mW 300 mW
针脚数 - - 6
直流电流增益(hFE) - - 30
电源电压 2 V - -
宽度 1.25 mm 1.24 mm 1.35 mm
封装 SC-70-6 SOT-323-3 SOT-363-6
长度 2 mm - 2.2 mm
高度 0.9 mm - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - NLR NLR