L6388和L6388ED013TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6388 L6388ED013TR L6388ED

描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERL6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 主动器件FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 17.0V (max) - 9.60V (min)

上升/下降时间 70ns, 40ns 70ns, 40ns 70ns, 40ns

输出接口数 2 2 2

电源电压 17 V 17 V 17 V

频率 - 0.4 MHz 0.4 MHz

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 0.75 W 750 mW

上升时间 - 100 ns 100 ns

输出电流(Max) - 0.65 A 0.65 A

下降时间 - 80 ns 80 ns

下降时间(Max) - 80 ns 80 ns

上升时间(Max) - 100 ns 100 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) - 750 mW 750 mW

电源电压(Max) - 17 V 17 V

电源电压(Min) - 0.3 V 9.6 V

额定功率 - 0.75 W -

输出电流 - 650 mA -

供电电流 - 0.45 mA -

漏源极电阻 - 125 Ω -

静态电流 - 450 µA -

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.25 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台