对比图
型号 IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S4L23ATMA2
描述 Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S4L23ATMA1, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装IPD30N06S4L23ATMA2 编带
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.018 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 36 W 36 W
阈值电压 - 1.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 30A 30A
上升时间 - 1 ns
输入电容(Ciss) 1560pF @25V(Vds) 1560pF @25V(Vds)
下降时间 - 3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 36W (Tc) 36W (Tc)
长度 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅