对比图
描述 NXP PMF290XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 VNXP PMF280UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-323-3 SOT-323-3
引脚数 3 3
通道数 - -
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.29 Ω 0.28 Ω
耗散功率 560 mW 560 mW
阈值电压 1 V 700 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
漏源击穿电压 - -
上升时间 - -
下降时间 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
极性 N-Channel N-Channel
连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.02 A
输入电容(Ciss) 34pF @20V(Vds) 45pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 560 mW 560 mW
耗散功率(Max) 560mW (Tc) 560mW (Tc)
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
封装 SOT-323-3 SOT-323-3
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)