PMF290XN,115和PMF280UN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMF290XN,115 PMF280UN,115

描述 NXP  PMF290XN,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 VNXP  PMF280UN,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SOT-323-3

引脚数 3 3

通道数 - -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.29 Ω 0.28 Ω

耗散功率 560 mW 560 mW

阈值电压 1 V 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 - -

上升时间 - -

下降时间 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

极性 N-Channel N-Channel

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.02 A

输入电容(Ciss) 34pF @20V(Vds) 45pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 560 mW 560 mW

耗散功率(Max) 560mW (Tc) 560mW (Tc)

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台