CSD25481F4和CSD25481F4T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD25481F4 CSD25481F4T CSD25483F4

描述 P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4TEXAS INSTRUMENTS  CSD25481F4T  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD25483F4

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 0.5 W 500 mW 0.5 W

阈值电压 950 mV 950 mV 950 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.5A 2.5A 1.6A

上升时间 3.6 ns 3.6 ns 3.7 ns

输入电容(Ciss) 189pF @10V(Vds) 189pF @10V(Vds) 198pF @10V(Vds)

下降时间 6.7 ns 6.7 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500mW (Ta)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.075 Ω -

漏源击穿电压 - 20 V -

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

长度 1 mm 1.04 mm -

宽度 0.6 mm 0.64 mm -

高度 0.35 mm 0.35 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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