BD679AG和JANTXV2N5745

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD679AG JANTXV2N5745 BD679AS

描述 NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管TO-3 PNP 80V 20A达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-3 TO-126-3

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 40 W - 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 20A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 15 @10A, 2V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 5 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 - 750

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 5000 mW 40000 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

长度 7.74 mm - 8 mm

宽度 2.66 mm - 3.25 mm

高度 11.04 mm - 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台