对比图
型号 CSD18532KCS IRFB3306PBF CSD18533KCS
描述 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETINFINEON IRFB3306PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 4.2 mohm, 10 V, 4 V60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET ..
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0033 Ω 0.0042 Ω 0.005 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 216 W 230 W 160 W
阈值电压 1.8 V 4 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 169A 160A 114A
上升时间 5.3 ns 76 ns 4.8 ns
输入电容(Ciss) 4680pF @30V(Vds) 4520pF @50V(Vds) 3025pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 216 W 230 W 160 W
下降时间 5.6 ns 77 ns 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 230W (Tc) 192W (Tc)
额定功率 - 230 W -
漏源击穿电压 - 60 V -
长度 10.67 mm 10.66 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.82 mm 4.7 mm
高度 16.51 mm 9.02 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -