FDP060AN08A0和IPP057N08N3GXKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP060AN08A0 IPP057N08N3GXKSA1 IRFB3207ZPBF

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON  IPP057N08N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 VINFINEON  IRFB3207ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0048 Ω 4.9 mΩ 0.0041 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 255 W 150 W 300 W

阈值电压 4 V 2.8 V 4 V

输入电容 5.15 nF - 6920 pF

栅电荷 73.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 75 V 80 V 75 V

漏源击穿电压 75.0 V 80 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 170A

上升时间 79 ns 66 ns 68 ns

输入电容(Ciss) 5150pF @25V(Vds) 4750pF @40V(Vds) 6920pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 255 W 150 W 300 W

下降时间 38 ns 10 ns 68 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 255W (Tc) 150W (Tc) 300000 mW

额定功率 - 150 W 300 W

通道数 - 1 -

长度 10.67 mm 10 mm 10.66 mm

宽度 4.83 mm 4.4 mm 4.82 mm

高度 9.4 mm 15.65 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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