FDB8860和FDB8860_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB8860 FDB8860_F085 BUK662R5-30C,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8860  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 1.6 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RD2PAK N-CH 30V 100A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.6 mΩ 1.9 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 254 W 254 W 204 W

阈值电压 1.7 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A 100A

上升时间 213 ns 213 ns 59 ns

输入电容(Ciss) 12585pF @15V(Vds) 12585pF @15V(Vds) 6960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 254 W 254 W 204 W

下降时间 49 ns 49 ns 113 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 254 W 254W (Tc) 204W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 11.33 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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