对比图
型号 BSC080N03MSGATMA1 SIE800DF-T1-E3 FDMS7692A
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MSGATMA1, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装N沟道30 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFETN沟道MOSFET的PowerTrench 30 V ， 8毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩ
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 10 8
封装 PG-TDSON-8 - Power-56-8
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0072 Ω 0.0068 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 104 W 2.5 W
阈值电压 1 V 2.2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) 13A 50.0 A 13.5A
上升时间 5.4 ns - 2.7 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) - 1350pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 5.6 ns - 2.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) - 2.5W (Ta), 27W (Tc)
额定功率 35 W - -
针脚数 8 - -
长度 5.35 mm - 6 mm
宽度 6.1 mm - 5 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 - Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15