FDS6961A和SP8K5FU6TB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6961A SP8K5FU6TB PHN210T,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6961A..  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 90 mohm, 10 V, 1.8 VSOP N-CH 30V 3.5ANXP  PHN210T,118  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 3.50 A - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.09 Ω 150 mΩ 0.08 Ω

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1.8 V 2.5 V 2 V

输入电容 220 pF - -

栅电荷 2.10 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0V (min) -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 2.40 A

上升时间 11 ns 6 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) 140pF @10V(Vds) 250pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W 2 W

下降时间 3 ns 4 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2 W

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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