对比图
型号 STD70N10F4 PSMN025-100D,118 IRFR3412TRPBF
描述 N沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKNXP PSMN025-100D,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.015 Ω 0.022 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 150 W 140 W
阈值电压 4 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
上升时间 20 ns 72 ns -
正向电压(Max) 1.5 V - -
输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 125 W 150 W -
下降时间 20 ns 58 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 125W (Tc) 150W (Tc) -
连续漏极电流(Ids) - 47.0 A 48.0 A
产品系列 - - IRFR3412
漏源击穿电压 - - 100 V
长度 6.6 mm 6.73 mm -
宽度 6.2 mm 6.22 mm -
高度 2.4 mm 2.38 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -