IRLR7807Z和STD40NF03LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7807Z STD40NF03LT4 STD35N3LH5

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3Pin (2+Tab) DPAKSTMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V30V,14mΩ,35A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 43.0 A 40.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 11.0 MΩ 0.009 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 40.0 W 80 W 35 W

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0V (min) 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 43.0 A 20.0 A 35A

上升时间 28.0 ns 165 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 780pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 725pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 80 W 35 W

下降时间 - 25 ns 3.5 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80W (Tc) 35W (Tc)

产品系列 IRLR7807Z - -

宽度 - 6.2 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

高度 - - 2.4 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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