SPP80N06S-08和STD50N03L-1

对比图

型号 SPP80N06S-08 STD50N03L-1 STP60N3LH5

描述 SIPMOS㈢功率三极管 SIPMOS㈢ Power-TransistorN沟道30V - 9.2mohm - 40A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFETN沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 6.5 mΩ - 7.2 mΩ

耗散功率 300 W 60 W 60 W

阈值电压 2.1 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 55 V - 30 V

上升时间 53 ns - 33 ns

输入电容(Ciss) 3660pF @25V(Vds) 1434pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 60 W 60 W

下降时间 32 ns - 4.2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 60W (Tc) 60W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

极性 N-CH - -

输入电容 3.66 nF - -

栅电荷 187 nC - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - -

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 15.65 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free