2N7002ET1G和KSK30YBU

对比图

型号 2N7002ET1G KSK30YBU 2N7002E-T1-E3

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 VJFET N-CH 50V 0.1W(1/10W) TO92VISHAY  2N7002E-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管JFET晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 TO-236

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.86 Ω - 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 420 mW 100 mW 350 mW

阈值电压 1 V - 2 V

输入电容 26.7 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 50.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 310 mA 10.0 mA 240 mA

上升时间 1.2 ns - -

正向电压(Max) 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 26.7pF @25V(Vds) 8.2pF @0V(Vds) 21pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 100 mW -

下降时间 3.6 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 100 mW 350 mW

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 10.0 mA -

击穿电压 - 50 V -

漏源击穿电压 - - 70.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm 5.33 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 TO-92-3 TO-236

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 125℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -