SPI20N60C3和SPI20N60CFD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPI20N60C3 SPI20N60CFD IPI65R190CFDXKSA1

描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power Transistor酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technologyTO-262 N-CH 650V 17.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - 3 -

额定功率 - - 151 W

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 208 W 208 W 151W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 20.7 A 20.7 A 17.5A

上升时间 15 ns 15 ns 8.4 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1850pF @100V(Vds)

下降时间 6.4 ns 6.4 ns 6.4 ns

耗散功率(Max) - - 151W (Tc)

漏源极电阻 220 mΩ 0.22 Ω -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) 208 W 208 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 20.7 A - -

通道数 1 - -

输入电容 2.40 nF - -

栅电荷 114 nC - -

漏源击穿电压 650 V - -

长度 10.2 mm 10.2 mm 10.2 mm

宽度 4.5 mm 4.5 mm 4.5 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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