对比图
型号 FQPF32N20C STD18N55M5 FQP8N80C
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 82.0 mΩ 0.18 Ω 1.29 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 50 W 90 W 178 W
阈值电压 - 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 550 V 800 V
漏源击穿电压 200 V 550 V -
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 16A -
上升时间 270 ns 9.5 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 2220pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 1580pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 90 W 178 W
下降时间 210 ns 13 ns 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 110W (Tc) 178000 mW
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 28.0 A - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
输入电容 - - 1580 pF
长度 10.36 mm 6.6 mm 10.1 mm
宽度 4.9 mm 6.2 mm 4.7 mm
高度 16.07 mm 2.4 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -