FDC653N和PMN40LN,135

对比图

型号 FDC653N PMN40LN,135 PMN38EN

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC653N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 VNXP  PMN40LN,135  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 VNXP  PMN38EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 49.6 mohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 SOT-457 SOT-457

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 35 mΩ 0.032 Ω 49.6 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.6 W 1.75 W 1.75 W

阈值电压 1.7 V 1.5 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.40 A 5.4A

上升时间 12 ns 7 ns -

输入电容(Ciss) 350pF @15V(Vds) 555pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 800 mW 1.75 W -

下降时间 6 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.75W (Tc) -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 5.00 A - -

输入电容 350 pF - -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 3 mm 3.1 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TSOT-23-6 SOT-457 SOT-457

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -