对比图
型号 STW24NM65N STW28N65M2 STW23NM60N
描述 N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 190 mΩ 0.15 Ω 180 mΩ
极性 - - N-Channel
耗散功率 160 W 170 W 150 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
漏源击穿电压 650 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 9.50 A
上升时间 10 ns 10 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @50V(Vds) 1440pF @100V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
下降时间 20 ns 8.8 ns 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 170W (Tc) 150W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 2 V -
额定功率(Max) 160 W - -
长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free