VNS3NV04D和VNS3NV04D13TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNS3NV04D VNS3NV04D13TR VNS3NV0413TR

描述 “ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电源管理FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP-8

输出接口数 2 2 1

输出电流 - - 3.5 A

漏源极电阻 120 mΩ 120 mΩ 120 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 4000 mW 4000 mW 8.3 W

漏源击穿电压 45.0 V 45.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 3.50 A

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 7 A

输入数 - - 1

耗散功率(Max) 4000 mW 4000 mW 8300 mW

供电电流 0.1 mA 0.1 mA -

通道数 2 2 -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

输出电流(Min) 3.5 A 3.5 A -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP-8

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台