对比图
型号 IRF3808S IRF3808STRRPBF IRF3808STRLPBF
描述 D2PAK N-CH 75V 106AD2PAK N-CH 75V 106AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-252-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 106A 106A 106A
上升时间 140 ns 140 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 5310pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
下降时间 120 ns 120 ns 120 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) 200W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 7 mΩ 0.0059 Ω
耗散功率 - 200 W 200 W
阈值电压 - 4 V 4 V
额定功率(Max) - - 200 W
额定功率 - 200 W -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 75 V -
封装 TO-263 TO-252-3 TO-263-3
长度 - 6.5 mm 10.67 mm
宽度 - 6.22 mm 11.3 mm
高度 - 2.3 mm 4.83 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free