对比图
型号 IRF2805PBF STP80NF55-06 PHP110NQ06LT,127
描述 N沟道,55V,75A,4.7mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 55V 75A
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 75.0 A 80.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 4.7 mΩ 0.0065 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 330 W 300 W 200 W
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 75A
上升时间 120 ns 155 ns -
输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 3960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 300 W 200 W
下降时间 - 65 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 200W (Tc)
产品系列 IRF2805 - -
输入电容 5110pF @25V - -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 16.51 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Rail, Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -