IRF2805PBF和STP80NF55-06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2805PBF STP80NF55-06 PHP110NQ06LT,127

描述 N沟道,55V,75A,4.7mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 55V 75A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -

额定电流 75.0 A 80.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 4.7 mΩ 0.0065 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 330 W 300 W 200 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 55.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 75A

上升时间 120 ns 155 ns -

输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 3960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 300 W 200 W

下降时间 - 65 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 200W (Tc)

产品系列 IRF2805 - -

输入电容 5110pF @25V - -

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 16.51 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

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