对比图
型号 FDN5630 IRLML0060TRPBF MMBF170LT3G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN5630 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.4 VINFINEON IRLML0060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 - 1.25 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.073 Ω 0.078 Ω 5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 1.25 W 225 mW
阈值电压 2.4 V 2.5 V -
输入电容 21.0 pF 290 pF 60.0 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 1.70 A 2.7A 500 mA
上升时间 6 ns 6.3 ns -
输入电容(Ciss) 400pF @15V(Vds) 290pF @25V(Vds) 60pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 1.25 W 225 mW
下降时间 5 ns 4.2 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 0.5 W 1.25W (Ta) 225mW (Ta)
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 1.70 A - 500 mA
通道数 1 - 1
栅电荷 7.00 nC - -
漏源击穿电压 -60.0 V - 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 1.02 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99