FQP13N10和SPA04N80C3

对比图

型号 FQP13N10 SPA04N80C3 IRFZ14PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP13N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  IRFZ14PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 100 V 800 V 60.0 V

额定电流 12.8 A 4.00 A 10.0 A

额定功率 - 38 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.142 Ω 1.1 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 65 W 38 W 36 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 800 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 12.8 A 4.00 A 10.0 A

上升时间 55 ns 15 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 65 W 38 W -

下降时间 25 ns 12 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 65W (Tc) 38W (Tc) 43 W

输入电容 - - 300pF @25V

漏源击穿电压 100 V - 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

长度 10.1 mm 10.65 mm 10.51 mm

宽度 4.7 mm 4.85 mm 4.7 mm

高度 9.4 mm 16.15 mm 15.49 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -