对比图
描述 N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 ， TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1
漏源极电阻 - 450 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 90W (Tc) 90 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A
上升时间 18.5 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 90 W
下降时间 12 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) 600 V -
额定电流 10.0 A -
输入电容 850 pF -
栅电荷 31.0 nC -
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm
高度 - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99