对比图
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 2.7A ， 40mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohmN沟道PowerTrench MOSFET的25V ， 35A ， 14mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohmFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8778 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 25 V, 0.0116 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V
额定电流 2.70 A 35.0 A 35.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 40.0 mΩ 11.6 mΩ 0.0116 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.7W (Ta), 18W (Tc) 39 W 39 W
阈值电压 - - 1.5 V
输入电容 425 pF 845 pF 845 pF
栅电荷 9.00 nC 18.0 nC 18.0 nC
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V
漏源击穿电压 25.0 V 25.0 V 25.0 V
栅源击穿电压 25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.70 A 35.0 A 35.0 A
上升时间 - 22 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 425pF @13V(Vds) 845pF @13V(Vds) 845pF @13V(Vds)
额定功率(Max) 3.7 W 39 W 39 W
下降时间 - 32 ns 32 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 18W (Tc) 39W (Tc) 39 W
长度 - 10.67 mm 6.73 mm
宽度 - 4.7 mm 6.22 mm
高度 - 16.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99