IRFS41N15DPBF和STB35NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS41N15DPBF STB35NF10T4 STB75NF20

描述 Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 STripFET™,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 150 V 100 V -

额定电流 41.0 A 40.0 A -

漏源极电阻 0.045 Ω 0.03 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 115 W 190 W

阈值电压 5.5 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 150 V 100 V 200 V

漏源击穿电压 150 V 100 V 200 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 40.0 A 47.0 A, 75.0 A

上升时间 63.0 ns 60 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 2520pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 115 W 190 W

下降时间 - 15 ns 29 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 190W (Tc)

产品系列 IRFS41N15D - -

输入电容 2520pF @25V - -

针脚数 - - 3

长度 10.67 mm 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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