对比图
型号 IRLML6402TRPBF SI2301BDS-T1-E3 NTR4101PT1G
描述 INFINEON IRLML6402TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23VISHAY SI2301BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mVON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.065 Ω 100 mΩ 0.07 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.3 W 900 mW 730 mW
漏源极电压(Vds) 20 V -20.0 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -3.70 A -2.20 A 3.20 A, -3.20 A
输入电容(Ciss) 633pF @10V(Vds) 375pF @6V(Vds) 675pF @10V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 0.7 W 420mW (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V
额定电流 -3.70 A - -3.20 A
额定功率 1.3 W - 0.21 W
产品系列 IRLML6402 - -
阈值电压 550 mV - 720 mV
上升时间 48 ns - 12.6 ns
热阻 100℃/W (RθJC) - -
额定功率(Max) 1.3 W - 420 mW
下降时间 381 ns - 21 ns
通道数 - - 1
栅源击穿电压 - - ±8.00 V
长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR