IR2132S和IR2132STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2132S IR2132STRPBF IR2132SPBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC WP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 电源管理FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

电源电压(DC) 20.0V (max) - 10.0V (min)

上升/下降时间 80ns, 35ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns

输出接口数 6 6 6

输出电压 - - 10.20 V

输出电流 - 500 mA 420 mA

通道数 - - 3

耗散功率 1600 mW 1600 mW 1600 mw

下降时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns

上升时间(Max) 125 ns 125 ns 125 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1600 mW 1600 mW 1600 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 10 V 10 V

产品系列 IR2132 - -

针脚数 - 28 -

上升时间 - 125 ns -

下降时间 - 55 ns -

长度 - 18.1 mm 18.1 mm

宽度 - 7.6 mm 7.6 mm

高度 - 2.35 mm 2.35 mm

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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