对比图
型号 STF6N62K3 STP10NK60ZFP SPA08N80C3
描述 STMICROELECTRONICS STF6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON SPA08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.95 Ω 0.65 Ω 650 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 35 W 40 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 620 V 600 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 5.5A 10.0 A 8.00 A
上升时间 12 ns 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 875pF @50V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 35 W 40 W
下降时间 20 ns 30 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 35W (Tc) 40W (Tc)
额定电压(DC) - 600 V 800 V
额定电流 - 10.0 A 8.00 A
额定功率 - 35 W 40 W
漏源击穿电压 - 600 V 800 V
输入电容 - 1370 pF -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.85 mm
高度 9.3 mm 9.3 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99