BC637G和BC637_D27Z

对比图

型号 BC637G BC637_D27Z BC637

描述 高电流晶体管 High Current TransistorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 3Pin TO-92 T/RNPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 200 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.625 W 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 625 mW 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 1 W

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - 160 160

直流电流增益(hFE) - - 40

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99