对比图
型号 FDP090N10 STW11NK100Z BUK7515-100A,127
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 VTO-220AB N-CH 100V 75A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 1.00 kV -
额定电流 - 8.30 A -
额定功率 - 230 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.0072 Ω 1.38 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 208 W 230 W 300 W
阈值电压 3.5 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 1000 V 100 V
漏源击穿电压 - 1.00 kV -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 75A 8.30 A 75A
上升时间 322 ns 18 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 8225pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 230 W 300 W
下降时间 149 ns 55 ns 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 208W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc)
长度 10.67 mm 15.75 mm -
宽度 4.83 mm 5.15 mm -
高度 16.51 mm 20.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -