对比图
型号 FDS2572 STL65N3LLH5 IRF7815PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 150 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 VINFINEON IRF7815PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 PowerVDFN-8 SOIC-8
额定电压(DC) 150 V - -
额定电流 4.90 A - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.04 Ω 4.8 mΩ 0.034 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 60 W 2.5 W
阈值电压 4 V 1 V 4 V
输入电容 2.05 nF - -
栅电荷 29.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 150 V 30 V 150 V
漏源击穿电压 150 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.90 A 9.50 A 5.1A
上升时间 4 ns 14.5 ns 3.2 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds) 1647pF @75V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 4 W -
下降时间 22 ns 4.5 ns 8.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 60W (Tc) 2.5W (Ta)
额定功率 - - 2.5 W
长度 5 mm 4.75 mm 5 mm
宽度 4 mm 5.75 mm 4 mm
高度 1.5 mm 0.88 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 PowerVDFN-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -