BSS84,215和BSS84LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS84,215 BSS84LT1G BSS84LT1

描述 BSS84,215 编带ON SEMICONDUCTOR  BSS84LT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V小信号P沟道SOT23封装场效应管

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -50.0 V -50.0 V

额定电流 - -130 mA -130 mA

漏源极电阻 6 Ω 10 Ω 10.0 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 250 mW 225 mW 225 mW

输入电容 - 36pF @5V 30.0 pF

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 50 V 50 V 50.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) -130 mA 130 mA 130 mA

上升时间 - 9.7 ns 1 ns

输入电容(Ciss) 45pF @25V(Vds) 30pF @5V(Vds) 30pF @5V(Vds)

下降时间 - 1.7 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250mW (Tc) 225 mW 225mW (Ta)

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

阈值电压 2 V 2 V -

额定功率(Max) 250 mW 225 mW -

工作结温 -65℃ ~ 150℃ - -

额定功率 - 0.225 W -

无卤素状态 - Halogen Free -

正向电压(Max) - 2.2 V -

长度 3 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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