对比图
型号 IXFN64N50P STE48NM50 APT50M85JVR
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN64N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 VSTMICROELECTRONICS STE48NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227
额定电压(DC) 500 V 550 V 500 V
额定电流 64.0 A 48.0 A 50.0 A
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 700 W 450 W 500 W
输入电容 8.70 nF - 10.8 nF
栅电荷 150 nC - 535 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 61.0 A 48.0 A 50.0 A
上升时间 - 35 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 8700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 700 W 450 W 500 W
下降时间 - 23 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700W (Tc) 450W (Tc) 500000 mW
通道数 - 1 -
针脚数 4 4 -
漏源极电阻 0.085 Ω 80 mΩ -
阈值电压 5.5 V 4 V -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227
长度 38.23 mm 38.2 mm -
宽度 25.42 mm 25.5 mm -
高度 9.6 mm 12.2 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -