对比图
型号 NTD4813N-1G NTD4813NHT4G NTD4813NT4G
描述 40A,30V,N沟道MOSFET40A,30V功率MOSFET40A,30V,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.94 W 1.94 W 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A, 40.0 A 9.00 A, 40.0 A
输入电容(Ciss) 860pF @12V(Vds) 940pF @12V(Vds) 860pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 1.27 W 1.27 W 1.27 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 13 mΩ - -
漏源击穿电压 30 V - -
上升时间 19.3 ns - 19.3 ns
下降时间 19.3 ns - 3.3 ns
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 40.0 A
输入电容 - - 860 pF
栅电荷 - - 7.90 nC
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 2.38 mm 6.22 mm -
高度 6.35 mm 2.38 mm -
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99