MJD112T4和MJD112TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD112T4 MJD112TF 2SD1980TL

描述 STMICROELECTRONICS  MJD112T4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFENPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ROHM  2SD1980TL  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 80 MHz, 1 W, 1 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @1A, 2V

额定功率(Max) 20 W 1.75 W 10 W

直流电流增益(hFE) 1000 200 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 80 MHz

耗散功率(Max) 20000 mW 20 W 10 W

额定功率 - 1.75 W 10 W

集电极最大允许电流 - 2A 2A

最大电流放大倍数(hFE) - - 1000

频率 - 25 MHz -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm 6.5 mm

宽度 - 6.8 mm 5.5 mm

高度 - 2.3 mm 2.3 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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