STP7N95K3和STW7N95K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP7N95K3 STW7N95K3 STW8NC90Z

描述 STMICROELECTRONICS  STP7N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道900V - 1.1欧姆 - 7.6A TO- 247齐纳保护PowerMESH⑩III MOSFET N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 950 V 950 V 900 V

漏源击穿电压 - - 900 V

连续漏极电流(Ids) 7.2A 7.2A 7.6A

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.1 Ω - -

耗散功率 150 W 150 W -

阈值电压 4 V - -

上升时间 9 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 1031pF @100V(Vds) 1031pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 150 W 150 W -

下降时间 23 ns 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247

长度 10.4 mm 15.75 mm -

宽度 4.6 mm 5.15 mm -

高度 15.75 mm 20.15 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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