IPD90P03P404ATMA1和IPD90P03P4L04ATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD90P03P404ATMA1 IPD90P03P4L04ATMA1

描述 INFINEON  IPD90P03P404ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0036 ohm, -10 V, -3 VINFINEON  IPD90P03P4L04ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0036 Ω 0.0033 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 137 W 137 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 90A 90A

上升时间 10 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 7900pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 40 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 137000 mW 137W (Tc)

通道数 - 1

阈值电压 - 1.5 V

长度 6.5 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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