对比图
型号 IKW50N60H3 NGTB45N60S2WG APT30GP60BDQ1G
描述 INFINEON IKW50N60H3 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S2WG 单晶体管, IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 333 W - -
针脚数 3 3 -
耗散功率 333 W 300 W 463000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 130 ns 498 ns -
额定功率(Max) 333 W 300 W 463 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 333 W 300 W 463000 mW
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 30 A
长度 15.87 mm 16.25 mm -
宽度 5.31 mm 5.3 mm -
高度 21.1 mm 21.4 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99