对比图
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorN - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 5.50 A 7.00 A 6.00 A
额定功率 40 W - -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 600 mΩ 400 mΩ 100 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 40 W 70 W
输入电容 530 pF 840 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 7.00 A 6.00 A
上升时间 40 ns 60 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 40 W - 70 W
下降时间 30 ns 40 ns 45 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 70W (Tc)
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10 mm 10 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.6 mm
高度 15.65 mm 15.65 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free