J176,126和J177,126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J176,126 J177,126 J175,116

描述 Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT Ammo射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 AMMORA FET-RFSSJFET P-CH 30V 0.4W TO92

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

漏源极电阻 250 Ω 300 Ω 125 Ω

耗散功率 - 300 mW -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 400 mW 400 mW 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

长度 - 4.8 mm -

宽度 4.2 mm 4.2 mm -

高度 - 5.2 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Box (TB) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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