对比图
型号 IPI100N06S3L-04 SUP90N06-6M0P-E3 IPP100N06S3L-04
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorMOSFET N-CH 60V 90A TO220AB的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-262 TO-220-3 TO-220-3-1
额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V
额定电流 100 A - 100 A
极性 N-CH - N-CH
输入电容 26.2 nF - 26.2 nF
栅电荷 550 nC - 550 nC
漏源极电压(Vds) 55.0 V - 55 V
连续漏极电流(Ids) 100 A - 100 A
上升时间 58 ns - 58 ns
输入电容(Ciss) 17270pF @25V(Vds) 4700pF @30V(Vds) 17270pF @25V(Vds)
下降时间 55 ns - 55 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 214000 mW 3.75W (Ta), 272W (Tc) 214W (Tc)
耗散功率 - 3.75W (Ta), 272W (Tc) 214 W
封装 TO-262 TO-220-3 TO-220-3-1
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)