对比图
型号 STP50NE08 STP55NF06 SPP04N80C3
描述 N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 80.0 V 60.0 V 800 V
额定电流 50.0 A 50.0 A 4.00 A
额定功率 - 110 W 63 W
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 20 mΩ 0.015 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 30 W 63 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 80 V 60 V 800 V
漏源击穿电压 80 V 60.0 V 800 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 4.00 A
上升时间 95 ns 50 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 63 W
下降时间 30 ns 15 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 63W (Tc)
输入电容 5.10 nF - -
栅电荷 110 nC - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17