对比图
型号 FDD8876 STD100N3LF3 STD60N3LH5
描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 7.6 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 70 W 110 W 60 W
阈值电压 - - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 73.0 A 80A 24.0 A
上升时间 91 ns 205 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) 2060pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 110 W 60 W
下降时间 37 ns 35 ns 4.2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 110W (Tc) 60W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 73.0 A - -
通道数 1 1 -
输入电容 1.70 nF - -
栅电荷 34.0 nC - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm 6.2 mm -
高度 2.39 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -