对比图
型号 IRF7413TRPBF STS11NF30L STS11N3LLH5
描述 IRF7413TRPBF 编带N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 13.0 A 11.0 A -
额定功率 - 2.5 W -
漏源极电阻 - 0.0085 Ω 0.0117 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W
阈值电压 - 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±18.0 V -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 11.0 A -
上升时间 8.00 ns 39 ns -
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 724pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.7 W
下降时间 - 16 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.7W (Tc)
针脚数 - - 8
产品系列 IRF7413 - -
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.25 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17