J112和J112"D74Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J112 J112"D74Z J111

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J112  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, 5 V, TO-92, JFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J112"D74Z  晶体管, JFET, -5 V, 5 mA, -5 V, TO-92, JFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V 35.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA

额定功率 350 mW - 350 mW

击穿电压 -35.0 V -35.0 V -35.0 V

针脚数 - - 3

漏源极电阻 50 Ω 50.0 Ω 30 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

漏源极电压(Vds) 35.0 V 35.0 V 35 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 mA 5.00 mA 20.0 mA

击穿电压 35 V - 35 V

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

栅源击穿电压 35.0 V 35.0 V -

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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