对比图
型号 KSH122-I KSH122ITU MJD122-1
描述 D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount ApplicationsNPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor互补功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 8.00 A -
额定功率 - 1.75 W -
极性 - NPN -
耗散功率 - 1.75 W 1.75 W
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V
集电极最大允许电流 - 8A -
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V
额定功率(Max) - 1.75 W 20 W
直流电流增益(hFE) - 1000 -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1750 mW 1750 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 12000
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 2.3 mm 2.4 mm
高度 - 6.1 mm 7.2 mm
封装 - TO-251-3 TO-251-3
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99