对比图
型号 SPB20N60S5 PHB108NQ03LT,118 STD30NE06L
描述 INFINEON SPB20N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 VTrans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN - CHANNEL 60V - 0.025欧姆 - 30A TO- 252的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 STripFET POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
引脚数 3 - -
耗散功率 208 W 187 W 55W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 25 V 60 V
上升时间 25 ns 38 ns -
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 1375pF @12V(Vds) 2370pF @25V(Vds)
下降时间 30 ns 25 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 187W (Tc) 55W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 60.0 V
额定电流 20.0 A - 30.0 A
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.16 Ω - 22.0 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 4.5 V - -
输入电容 3.00 nF - -
栅电荷 103 nC - -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A - 30.0 A
额定功率(Max) 208 W - -
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10 mm 10.3 mm -
宽度 9.25 mm 9.4 mm -
高度 4.4 mm 4.5 mm -
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -